去膠工藝是微加工過程中一個(gè)重要的過程，在電子束曝光，紫外曝光等微納米加工工藝后，都要對(duì)光刻膠進(jìn)行去除或打底膜處理。光刻膠是否去除干凈對(duì)樣片是否有損傷等問題，將直接影響后續(xù)工藝的順利完成。

等離子去膠性能出色的組件和軟件，可對(duì)工藝參數(shù)進(jìn)行精確控制。它的工藝監(jiān)測(cè)和數(shù)據(jù)采集軟件可實(shí)現(xiàn)嚴(yán)格的質(zhì)量控制。該技術(shù)已經(jīng)成功的應(yīng)用于功率晶體管、模擬器件、傳感器、光學(xué)器件、光電、EMS/MOEMS、生物器件、LED等領(lǐng)域。

　　產(chǎn)品具有去膠快速*；對(duì)樣片無損傷；操作簡(jiǎn)單安全；設(shè)計(jì)緊湊美觀；產(chǎn)品性價(jià)比高等優(yōu)勢(shì)。

 

　　等離子去膠在使用中四大影響要素，希望能幫到大家。

　　1、調(diào)整合適的頻率：頻率越高，氧越易電離構(gòu)成等離子體。頻率太高，以致電子振幅比其平均自由程還短，則電子與氣體分子磕碰概率反而減少，使電離率降低。通常常用頻率為13.56MHz及2.45GHZ。

　　2、調(diào)整合適功率：關(guān)于必定量的氣體，功率大，等離子體中的的活性粒子密度也大，去膠速度也快；但當(dāng)功率增大到必定值，反響所能耗費(fèi)的活性離子到達(dá)飽滿，功率再大，去膠速度則無顯著添加。由于功率大，基片溫度高，所以應(yīng)根據(jù)技術(shù)需求調(diào)理功率。

　　3、調(diào)整適合的真空度：恰當(dāng)?shù)恼婵斩龋墒闺娮舆\(yùn)動(dòng)的平均自由程變大，因而從電場(chǎng)取得的能量就大，有利電離。別的當(dāng)氧氣流量必守時(shí)，真空度越高，則氧的相對(duì)份額就大，發(fā)生的活性粒子濃度也就大。但若真空度過高，活性粒子濃度反而會(huì)減小。

　　4、氧氣流量的調(diào)整：氧氣流量大，活性粒子密度大，去膠速率加速；但流量太大，則離子的復(fù)合概率增大，電子運(yùn)動(dòng)的平均自由程縮短，電離強(qiáng)度反而降低。若反響室壓力不變，流量增大，則被抽出的氣體量也添加，其間尚沒參與反響的活性粒子抽出量也隨之添加，因而流量添加對(duì)去膠速率的影響也就不甚顯著。